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大功率集成电路用高热导率氮化硅陶瓷基板的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-16 发布于四川
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大功率集成电路用高热导率氮化硅陶瓷基板的制备方法.pdf

    本发明公开了一种大功率集成电路用高热导率氮化硅陶瓷基板的制备方法，先制备高纯氮化硅粉体，以SiCl4和NH3为原料，在等离子加热炉中进行气相混合反应，制得高纯氮化硅粉体，SiCl4和NH3的纯度在99.99％以上；化学反应式为3SiCl4+4NH3→Si3N4+12HCl；随后制备氮化硅浆料，将高纯氮化硅粉体和烧结助剂进行充分混合，得到混合物料，将混合物料与载体溶液混合得到氮化硅浆料；进行基板成型，将氮化硅浆料通过流延机制作，得到氮化硅基板胚体；最后低温加压烧结，将流延成

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114773069 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202210496971.4 C04B 35/64 (2006.01) (22)申请日 2022.05.

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