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本发明公开了一种铜互连结构的制造方法，其特征在于，包括：步骤一、在层间膜中形成凹槽；步骤二、形成阻挡层，包括分步骤：步骤21、采用PVD工艺进行预沉积形成第一TaN子层；预沉积将负偏压能量调低到不会对凹槽侧面的层间膜材料产生损伤，使凹槽的形貌得到保持；步骤22、采用PVD工艺进行主沉积形成第二TaN子层；主沉积的负偏压能量大于预沉积的负偏压能量，由第一和第二TaN子层叠加形成阻挡层；步骤三、形成粘附层；步骤四、形成铜籽晶层；步骤五、电镀铜层。本发明能防止阻挡层的沉积工艺对层间膜产生损伤，从而能改
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114783946 A
(43)申请公布日 2022.07.22
(21)申请号 202210457966.2 C23C 16/02 (2006.01)
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