1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种低介电聚酰亚胺铜基板及其制备方法.pdfVIP

  • 7
  • 0
  • 约1.18万字
  • 约 10页
  • 2023-05-16 发布于四川
  • 举报

一种低介电聚酰亚胺铜基板及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种低介电聚酰亚胺铜基板及其制备方法，铜基板的介电常数为3.5‑4.1，铜基板的介电损耗为0.002‑0.005，铜基板的热膨胀系数为20‑60(ppm/℃)，本发明的铜基板，通过预先加入氰酸脂树脂，形成三嗪环，再与双马来酰亚胺聚合，得到含有三嗪环结构的高交联密度的立体网状结构，实验发现，带有三嗪结构的材料制成的铜基板降低了介电常数和介电损耗，高交联密度结构提高了铜基板的玻璃化转变温度Tg并且降低了热膨胀系数CTE。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114763435 A (43)申请公布日 2022.07.19 (21)申请号 202110374856.5 B32B 15/18 (2006.01)

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >