原位PECVD覆盖层.pdfVIP

下载本文档

1
0
约2.65万字
约 22页
2023-05-16 发布于四川
举报
版权申诉

原位PECVD覆盖层.pdf

1、本文档共22页，其中可免费阅读21页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

用于以介电材料填充间隙的方法包含使用原子层沉积(ALD)技术进行沉积以填充间隙，然后通过化学气相沉积(CVD)技术在所填充的间隙上沉积覆盖层。该ALD沉积可以是等离子体增强ALD(PEALD)或热ALD(tALD)沉积。该CVD沉积可以是等离子体增强CVD(PECVD)或热CVD(tCVD)沉积。在一些实施方案中，该CVD沉积与该ALD沉积是在相同的处理室中执行而不干扰处理操作。该覆盖层的原位沉积的结果是具有高度均匀性的高产出处理。在一些实施方案中，在该处理之后，衬底就已准备好进行化学机械平坦化

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114761612 A (43)申请公布日 2022.07.15 (21)申请号 202080083785.7 弗兰克 ·洛伦 ·帕斯夸里　