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一种半导体封装用TO-251HL引线框架及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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一种半导体封装用TO-251HL引线框架及其制作方法.pdf

    本发明涉及半导体封装技术领域，且公开了一种半导体封装用TO‑251HL引线框架，包括引线框架本体，包括位于上部的散热片部分和下部的外引脚部分，且散热片部分的厚度为0.8mm，外引脚部分的厚度为0.5mm，包括以下步骤：S1、冲压模具的制造；S2、基材的选取；S3、初成型冲制；S4、终成型冲制；S5、局部镀银操作。本发明TO‑251HL在原TO‑251框架的基础上，改0.5mm厚的基材为引线脚0.5mm厚，散热在0.8mm厚的异型铜材，满足powerPAK用于功率MOSFET时需有更小的有效接通电

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823599 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210342283.2 (22)申请日 2022.03.31 (71)申请人 泰州东田电子有限公司 地址 225

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