中温区具有高氧离子电导率的四方白钨矿结构钒酸铋基陶瓷及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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中温区具有高氧离子电导率的四方白钨矿结构钒酸铋基陶瓷及其制备方法.pdf

本发明公开了一种中温区具有高氧离子电导率的四方白钨矿结构钒酸铋基陶瓷及其制备方法,属于新型固态离子导体制备技术领域,其氧离子电导率在500~700℃达0.92~6.2mS/cm,化学组成为Bi0.85Ca0.15VO3.925。本发明公开的四方白钨矿结构钒酸铋基氧离子导体的化学组成及制备工艺简单、成本低,可应用于中温区固态氧化物燃料电池、氧气传感器和氧气渗透膜等器件的制造。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114804852 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210307158.8 (22)申请日 2022.03.25 (71)申请人 桂林理工大学 地址 541004

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