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本发明公开了一种兼具近红外发光和磁性的量子点(半导体纳米晶)，其制备方法及应用。该量子点具有核壳型晶体结构，核为近红外发光的、不含重金属的半导体晶体材料，壳层为磁性的、不含重金属的宽带隙半导体晶体材料，条件温和，工艺简单，操作简便、成本低廉、方法灵活。纳米晶体尺寸为2‑15nm，近红外发射峰位在650‑1500nm范围可根据尺寸和组成任意调变，近红外发光效率最高达到80％。其中壳层晶格中磁性离子稳定标记，磁性离子含量可任意调变，具有高的纵向磁共振弛豫率和优异的磁共振造影性能，可构建近红外光学/磁
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114806579 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202110109924.5 A61K 49/06 (2006.01)
(22)申请日 2021.01.
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