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等离子体处理方法和等离子体处理系统.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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等离子体处理方法和等离子体处理系统.pdf

    本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统。等离子体处理方法在具有腔室的等离子体处理装置中执行。该方法包括以下工序：工序(a)，将具有包括硅氧化膜和氮化硅膜的蚀刻对象膜以及在蚀刻对象膜上规定出开口的掩模膜的基板提供到腔室内的基板支承部上；工序(b)，从包含HF气体、CxFy气体(x和y为1以上的整数)或CsHtFu气体(s、t以及u为1以上的整数)、以及含氧气体的第一处理气体生成等离子体，来对氮化硅膜进行蚀刻；以及工序(c)，从包含HF气体、CvFw气体(v和w为1以上的整数)、以及含氧气

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116013778 A (43)申请公布日 2023.04.25 (21)申请号 202211254104.6 (22)申请日 2022.10.13 (30)优先权数据 2021-173405 2

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