一种半导体表面的刻蚀方法.pdfVIP

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2023-05-17 发布于四川
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一种半导体表面的刻蚀方法.pdf

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本发明公开了一种半导体表面的刻蚀方法，包括：将待刻蚀的半导体置于真空室内，并控制真空室内的真空度稳定在3.5×10‑2Pa～4.5×10‑2Pa范围内；向真空室内通入氧气，并控制真空室内的真空度稳定在1.1×10‑2Pa～1.2×10‑2Pa范围内；根据通入的氧气，采用离子束刻蚀方法对半导体表面进行第一次刻蚀；其中，施加的束流电压为1000V，束流密度大于0.008mA/m3，第一次刻蚀时间在50min～60min范围内；向真空室内通入氩气，采用离子束刻蚀方法对半导体表面进行第二次刻蚀。采用本发

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823316 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202110123487.2 (22)申请日 2021.01.28 (71)申请人东莞新科技术研究开发有限公司地