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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    本发明提供了半导体结构。该半导体结构包括衬底和设置在衬底上方的堆叠结构。该堆叠结构包括多个交替堆叠的绝缘层与栅极构件。芯结构设置在堆叠结构中。该芯结构包括存储器层、沟道构件、接触构件和衬垫构件。该沟道构件设置在存储器层上。该接触构件设置在沟道构件上。该衬垫构件包围芯结构的一部分。本发明还提供了用于制造半导体结构的方法。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823710 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210138577.3 (22)申请日 2022.02.15 (30)优先权数据

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