一种半导体结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-17 发布于四川
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一种半导体结构及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，属于半导体技术领域。所述半导体结构至少包括：在衬底上依次设置的连接层、接触孔蚀刻停止层、层间介质层和多层掺杂层；第一凹部，设置在所述掺杂层中，且由所述第一凹部开口一侧至底壁一侧，所述第一凹部的径向长度逐渐减小；第二凹部，延伸入部分所述层间介质层中，所述第二凹部的侧壁垂直设置；第三凹部，设置在所述第二凹部底部，且所述第三凹部延伸入部分所述连接层，由所述第三凹部的开口一侧至底壁一侧，所述第三凹部的径向长度逐渐减小；以及导电结构，设置在所述第一凹部、所述第二凹部

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116013850 A (43)申请公布日 2023.04.25 (21)申请号 202211591570.3 (22)申请日 2022.12.12 (66)本国优先权数据 202211395481.1