1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种增加光刻胶在超晶格红外焦平面芯片上附着性的方法.pdfVIP

  • 9
  • 0
  • 约6.6千字
  • 约 8页
  • 2023-05-17 发布于四川
  • 举报

一种增加光刻胶在超晶格红外焦平面芯片上附着性的方法.pdf

    本发明公开了一种增加光刻胶在超晶格红外焦平面芯片上附着性的方法。本发明是在超晶格红外焦平面芯片上通过等离子体处理芯片表面，从而增加光刻胶在芯片表面的粘附性，尤其针对较小光刻图形制备时。在超晶格红外焦平面芯片光刻前，首先采用氧等离子体与芯片上残余的有机污染物发生化学反应，生成气态的CO、C02和H20，从而达到去除芯片表面残余有机污染物的目的，其次采用氩等离子体轻微轰击芯片表面，增加芯片表面粗糙度。氧等离子体和氩等离子体先后作用在超晶格红外焦平面芯片上，增加了后续光刻胶在超晶格红外焦平面芯片上附着

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823970 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210304039.7 (22)申请日 2022.03.25 (71)申请人 昆明物理研究所

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >