氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-17 发布于北京
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本申请实施例公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法，其中，氧化物半导体薄膜晶体管包括栅极绝缘层和有源层。有源层设置于所述栅极绝缘层的一面，包括层叠设置的高氧层和低氧层，所述高氧层中氧元素的占比比所述低氧层中氧元素的占比多10％，所述高氧层包括设置于所述栅极绝缘层的上的第一高氧层，所述低氧层与第一高氧层背离所述栅极绝缘层的一面贴合。本申请实施例中通过在有源层中高氧层进行补氧，以替代现有技术中专门设置的补氧功能层，解决了补氧功能层制备困难的问题，还简化了工艺步骤，节省了能耗。同时高氧层与栅极绝

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823915 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210396735.5 (22)申请日 2022.04.15 (71)申请人广州华星光电半导体显示技术有限