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三维存储器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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三维存储器及其制备方法.pdf

    本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。制备三维存储器的方法包括：在衬底上形成包括多个阶梯台阶的叠层结构，每个所述阶梯台阶包括介质层和牺牲层，所述介质层的上表面的至少一部分暴露；在所述介质层的暴露的上表面上形成刻蚀停止层；形成贯穿所述刻蚀停止层和所述叠层结构的栅线隙；将刻蚀停止层的靠近栅线隙的一部分处理为第一隔离层；经由栅线隙将牺牲层替换为导电层；以及形成穿过刻蚀停止层并延伸至导电层的接触孔。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823497 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210177440.9 (22)申请日 2022.02.25 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司 地址 4

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