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本发明涉及一种具备退饱和保护功能的SiCMOSFET栅驱动电路，包括输入接收电路、第一调制发送电路、高压隔离电路、第一接收放大电路、第一OOK解调电路、输出缓冲电路、第二OOK解调电路、第二接收放大电路、第二调制发送电路、高精度退饱和保护电路、第一OSC振荡器和第二OSC振荡器。本发明采用的高精度接收放大电路，采用多级级联结构提高小信号放大能力，另外可以调整共模电压大小，提高接收信号的识别精度和共模工作范围；OOK解调电路采用了多级比较器结构，以提高OOK信号解调精度；通过检测SiCMOSF
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116015222 A
(43)申请公布日 2023.04.25
(21)申请号 202211593678.6
(22)申请日 2022.12.13
(71)申请人 江苏中科汉韵半导体有限公司
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