存储器装置的形成方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约2.67万字
约 31页
2023-05-17 发布于四川
举报
版权申诉

存储器装置的形成方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种存储器装置的形成方法，包括：形成多个字元线堆叠于半导体基底上，分别包括多个字元线与多个绝缘层交替堆叠；沿着字元线堆叠的两相对侧壁形成一数据存储层；沿着数据存储层的两相对侧壁形成一通道层；形成一内部绝缘层位于通道层的内侧壁之间且包括第一介电材料；进行隔离阻断制程，包括第一蚀刻制程穿过内部绝缘层及通道层，以形成一隔离开口；形成一隔离结构，填充隔离开口且包括第二介电材料；进行第二蚀刻制程，穿过位于隔离结构的两相对侧的内部绝缘层，以形成源极/漏极开口；及形成源极/漏极接点于源极/漏极开口内。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823683 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210087916.X H01L 27/11568 (2017.01)