射频开关及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-17 发布于北京
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射频开关及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种射频器件及其制备方法，包括：衬底，所述衬底具有沿第一方向依次排布的控制区、净空区和射频区，所述净空区沿第二方向延伸；控制器件和射频器件，分别位于所述控制区和所述射频区内的所述衬底上；若干隔离结构，沿所述第二方向并排分布在所述净空区的所述衬底上；介质层，位于所述衬底上，且顺形覆盖所述控制器件、所述射频器件及所述净空区剩余的所述衬底，所述介质层的介电常数大于所述隔离结构的介电常数。所述隔离结构可以减小所述控制器件与所述射频器件之间的电容耦合作用，从而减少信号间串扰，对信号产生较好的隔

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823663 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210435369.X (22)申请日 2022.04.24 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地址