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一种高速低电压导电桥式阻变存储器件的制作方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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一种高速低电压导电桥式阻变存储器件的制作方法.pdf

    本发明公开了一种高速低电压导电桥式阻变存储器件的制作方法。本发明的制作方法包括：在表面有氧化硅或氮化硅的衬底上制备下电极，通过等离子增强化学气相沉积等工艺制备较厚的隔离层氧化硅或氮化硅，再对隔离层氧化硅或氮化硅层进行刻蚀以形成井区，然后通过磁控溅射、电子束蒸发等工艺沉积阻变层氧化物，沉积上电极并通过湿法腐蚀进行图形化，最后通过湿法或干法腐蚀去除部分隔离层以暴露下电极。本发明通过平面微纳加工工艺，降低了工艺复杂度，同时，井区的存在使上下电极在阻变功能区以外形成良好的电学隔离，还能精确控制阻变层厚度

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114824069 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210317307.9 (22)申请日 2022.03.29 (71)申请人 上海科技大学 地址 201210

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