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半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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半导体装置.pdf

    本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括介电鳍状物，在第一半导体通道与第二半导体通道之间。半导体装置包括第一栅极结构。第一栅极结构包括第一部分与第二部分，其通过介电鳍状物而彼此分离。半导体装置包括第一栅极间隔物，其沿着第一栅极结构的第一部分的侧壁延伸。半导体装置包括第二栅极间隔物，其沿着第一栅极结构的第二部分的侧壁延伸。第一栅极间隔物或第二栅极间隔物的至少一个包括具有第一厚度的第一部分以及具有第二厚度的第二部分，第二厚度小于第一厚度，且其中第一部分比第二部分还要靠近介电鳍状物。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823527 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210237048.9 (22)申请日 2022.03.11 (30)优先权数据 17/199,566 2021

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