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一种Si衬底GaN外延薄膜的生长方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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一种Si衬底GaN外延薄膜的生长方法.pdf

    本发明公开了一种Si衬底GaN外延薄膜的生长方法，该生长方法是在Si衬底上生长GaN薄膜时避免了AlN或AlN/AlGaN缓冲层的生长，通过对Si衬底预处理，形成隔离Si与Ga的界面，避免Ga与Si反应产生回熔；通过调整GaN应力调控层与GaN层的生长温度，调节材料生长过程产生的应力，从而形成连续完整的单晶GaN薄膜。该方法避免了AlN或AlN/AlGaN缓冲层的生长，从而有效地减少AlN在反应室中石墨和喷头等位置的沉积，降低外延生长的成本，减少因为沉积物导致的不稳定性和沉积物处理引起的不确定性

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823284 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210337909.0 (22)申请日 2022.04.01 (71)申请人 南昌大学 地址 330031 江西

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