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一种高灵敏度压阻敏感单元及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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一种高灵敏度压阻敏感单元及其制造方法.pdf

    本发明属于传感器技术领域，涉及敏感单元及其制备，具体为一种高灵敏度敏感单元及其制造方法，其包括半导体衬底、N阱和至少一块LDD超浅结，半导体衬底向上延伸有外延层，外延层进行轻的P型杂质掺杂，N阱位于外延层上，LDD超浅结位于N阱上，LDD超浅结的两端设有p+有源区，外延层表面覆盖有氧化层，氧化层上开有暴露p+有源区的窗口，窗口处暴露的p+有源区通过合金层连接有金属引线。本发明所述方法采用CMOS工艺中的超浅结漏注入方式在压阻区进行低能离子注入，使之产生LDD超浅结硅纳米膜；利用硅纳米膜的巨压阻效

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114812878 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210357554.1 (22)申请日 2022.04.07 (71)申请人 中北大学

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