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本发明提供芯片的制造方法，通过抑制裂纹的异常延伸而将晶片可靠地分割，并且降低使晶片的正背面翻转的次数。该芯片的制造方法具有如下的步骤：改质层形成步骤，在使具有基板和层叠体的晶片中的基板的背面侧露出且将具有透过基板的波长的第1激光束的聚光点从基板的背面侧定位于基板的内部的状态下，沿着分割预定线照射第1激光束，形成改质层和裂纹；磨削步骤，在改质层形成步骤之后，对在改质层形成步骤中露出的基板的背面侧进行磨削而将晶片薄化至规定的厚度；以及激光加工槽形成步骤，在磨削步骤之后，从晶片的正面侧沿着分割预定线照
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823505 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210024976.7
(22)申请日 2022.01.11
(30)优先权数据
2021-011030 202
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