1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种单晶生长方法及晶圆.pdfVIP

  • 4
  • 0
  • 约1.24万字
  • 约 10页
  • 2023-05-17 发布于四川
  • 举报

一种单晶生长方法及晶圆.pdf

    本发明提供一种单晶生长方法及晶圆，所述单晶生长方法包括：提供熔体和经过掺杂的籽晶；获取所述经过掺杂的籽晶的初始长度l0；将所述经过掺杂的籽晶浸入所述熔体中，获取所述经过掺杂的籽晶露出所述熔体表面的长度l1，其中l0＞l1；利用所述熔体和所述经过掺杂的籽晶采用直拉法生长单晶。本发明使用经过掺杂的籽晶，能够精准控制单晶的P/N型及电阻率，避免了额外引入掺杂剂带来的用量难以控制的问题，保持了单晶的重复性。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114808112 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210343801.2 C30B 29/06 (2006.01)

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >