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- 2023-05-17 发布于四川
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本发明涉及半导体光电器件技术领域,特别涉及一种发光二极管及发光装置。本发明提供一种发光二极管包括:半导体外延叠层,其包含依次层叠设置的第一导电类型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层;绝缘层,至少覆盖部分所述半导体外延叠层;反射层,设置于所述绝缘层中,所述反射层包含依次远离所述半导体外延叠层设置的金属反射层和防氧化层。本发明提供的发光二极管芯片具有高发光强度及高可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114824026 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210351058.5
(22)申请日 2022.04.02
(71)申请人 厦门三安光电有限公司
地址 361
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