超级结器件的制造方法、超级结器件、芯片和电路.pdfVIP

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2023-05-18 发布于北京
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超级结器件的制造方法、超级结器件、芯片和电路.pdf

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本发明提供一种超级结器件的制造方法、超级结器件、芯片和电路，属于半导体技术领域，制造方法包括：提供具有外延层的衬底，所述衬底和所述外延层具有第一导电类型，且所述衬底为重掺杂；在所述外延层的上表面定义刻蚀区域；根据所述刻蚀区域，利用刻蚀工艺在所述外延层内形成沟槽；通过外延填充在所述沟槽内形成具有第二导电类型的填充区，所述填充区与相邻的外延层区域构成超级结，其中，所述填充区的杂质浓度按照由下至上的方向依次递减；形成栅极和体区，所述体区位于所述填充区的顶部，所述栅极位于所述外延层的上表面并覆盖部分体区

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823531 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210722208.9 (22)申请日 2022.06.24 (71)申请人北京芯可鉴科技有限