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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种横向半导体器件。横向双极型半导体器件包括：衬底，衬底中形成基区，基区从衬底的上表面向下延伸；基区中形成有发射区，位于发射区外周的基区中形成有集电区，发射区与集电区之间被基区横向漂移部间隔；介质层，介质层覆盖在衬底的上表面上，介质层中形成有多晶硅化物阻挡层，多晶硅化物阻挡层覆盖在基区横向漂移部上；介质层中还形成有发射极金属层，发射极金属层通过第一接触孔与发射区接触；发射极金属层覆盖多晶硅化物阻挡层，并通过第二接触孔与多晶硅化物阻挡层接触。基区的导电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114843340 A
(43)申请公布日 2022.08.02
(21)申请号 202210420614.X
(22)申请日 2022.04.20
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
地址
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