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金属氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法和显示面板.pdfVIP

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  • 2023-05-18 发布于四川
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金属氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法和显示面板.pdf

    本申请提供一种金属氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法和显示面板，涉及半导体技术领域。本申请通过在基底的一侧依次制备氮硅层、栅极、覆盖栅极的栅介质层以及至少覆盖栅介质层的金属氧化物层，使金属氧化物层中与氮硅层接触的部分区域经氮硅层所含有的氢或氟扩散掺杂进行导体化，形成源极区域和漏极区域，该金属氧化物层中与栅介质层接触且未导体化的部分区域即为连通源极区域和漏极区域的半导体区域，栅极、源极区域和漏极区域处于同一氮硅层表面上。因此，该薄膜晶体管器件能够通过极为简单的自对准底栅结构实现较低的寄生电容和较高的

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823917 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210569810.3 (22)申请日 2022.05.24 (71)申请人 广东省科学院半导体研究所 地址 5

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