半导体装置和制作半导体装置的方法.pdfVIP

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2023-05-18 发布于北京
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半导体装置和制作半导体装置的方法.pdf

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本发明提供一种半导体装置和一种制造所述半导体装置的方法。所述装置包括衬底，所述衬底具有位于一个或多个GaN层上的AlGaN层，以在所述AlGaN层和所述GaN层之间的界面处形成二维电子气。所述装置还包括源极触点。所述装置另外包括漏极触点。所述装置还包括位于所述源极触点和所述漏极触点之间的栅极触点。所述栅极触点包括栅极电极。所述栅极触点还包括位于所述栅极电极和所述AlGaN层之间的电绝缘层。所述绝缘层包括至少一个孔口，以允许在所述装置的关闭状态期间产生的空穴穿过所述栅极电极离开所述装置。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114864664 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202210504119.7 (74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理