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本公开提出一种半导体结构。半导体结构包括基板，其具有分别为第一与第二导电型态的第一与第二井区。第一与第二井区在俯视图中沿着第一方向纵向延伸，第一与第二井区各自包括沿着垂直于第一方向的第二方向凸起的凸起部分与沿着第二方向凹陷的凹陷部分。第一井区的凸起部分嵌入第二井区的凹陷部分，反之亦然。第一源极/漏极结构位于第一井区的凸起部分上、第二源极/漏极结构位于第二井区上、第三源极/漏极结构位于第二井区的凸起部分上、以及第四源极/漏极结构位于第一井区上。第一与第二源极/漏极结构为第一导电型态。第三与第四源极
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114864596 A
(43)申请公布日 2022.08.05
(21)申请号 202210306474.3
(22)申请日 2022.03.25
(30)优先权数据
17/213,979 2021
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