模拟电子技术基础复习题(基础知识填空和简答).pdfVIP

习题1 一、填空题 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓 度则与 温度 有很大关系。 2、当 PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向 电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。 3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。 二．判断题 1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型 半导体带正电，N 型半导体带负电。（× ） 2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。（√ ） 3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩 散电流小。（× ） 4 、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。 （× ） 5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。（√ ） 6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。（× ） 7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（× ） 三．简答题 1、PN 结的伏安特性有何特点？ V I I (e VT 1) 答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式 D s 表示。 式中，I 为流过PN 结的电流；I 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等 D s 有关的参数，单位与 I 的单位一致；V 为外加电压； V =kT/q，为温度的电压当量（其单位 T 与 V 的单位 一致 ），其 中玻尔 兹曼 常数 k 1.38 1023 J / K ， 电子 电量 T q 11019 C(库伦) ，则V  (V ) ，在常温（T=300K ）下，V =25.875mV=26mV 。 T 11594.2 T V V 当外加正向电压，即V 为正值，且V 比VT 大几倍时，e VT 1 ，于是I I e VT ，这时正向 s 电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为 V 负值，且|V|比V 大几倍时，e VT  1 ，于是I  I ，这时PN 结只流过很小的反向饱和电 T s 流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。PN 结的伏安特性也可用特性 曲线表示，如图1.1.1 所示.从式(1.1.1)伏安特性方程的分析和图1.1.1 特性曲线（实线部分） 可见：PN 结真有单向导电性和非线性的伏安特性。 图1.1.1 PN 伏安特性 2、什么是PN 结的反向击穿？PN 结的反向击穿有哪几种类型？各有何特点？ 答：“PN”结的反向击穿特性：当加在“PN”结上的反向偏压超过其设计的击穿电压后，PN 结发生击穿。 PN 结的击穿主要有两类，齐纳击穿和雪崩击穿。齐纳击穿主要发生在