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- 2023-05-18 发布于四川
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SRAM动态阵列电源控制电路,涉及集成电路技术,本发明包括至少一个输出电压选择器,所述输出电压选择器由电流输出端相连的第一MOS管和第二MOS管构成,其中第一MOS管的电流输入端接第一电平端VDD,第二MOS管的电流输入端接第二电平端Vcc,两个MOS管的电流输出端作为输出电压选择器的输出端,与SRAM存储单元的电源线连接。本发明采用了多阈值CMOS组合设计技术,使得本发明在提高性能的同时,降低了功耗。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113409843 A
(43)申请公布日 2021.09.17
(21)申请号 202110528326.1
(22)申请日 2021.05.14
(71)申请人 成都华微电子科技有限公司
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