半导体装置和制造半导体装置的方法.pdfVIP

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2023-05-18 发布于北京
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半导体装置和制造半导体装置的方法.pdf

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本公开涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种制造半导体装置的方法可以包括以下步骤：形成具有交替层叠的第一材料层和第二材料层的层叠物，形成穿过层叠物的开口，在开口中形成存储器层，形成穿过层叠物并暴露第一材料层和第二材料层的狭缝，以及在不去除第二材料层的情况下通过穿过第二材料层部分地氧化存储器层来形成第一屏障图案。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114864586 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202110906927.1 H01L 27/24 (2006.01)