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本公开提供了一种集成电路及其有源区与栅极区的电极连接方法。其中，该集成电路包括多个存储单元，存储单元包括：设置在衬底上的有源区和栅极层，该有源区包括位于栅极层一侧的源端和位于栅极层另一侧的漏端：源电极、漏电极和栅电极，源电极和栅电极分别复用第一引线通孔连通至前述的源端和栅极层，漏电极通过第二引线通孔连通至前述漏端。由此可通过同一存储单元中相邻电极复用同一引线通孔形成共用电极的欧姆接触，从而缩小了相邻两个电极之间的距离，以进一步缩小单个存储单元的面积，和/或通过相邻存储单元间相邻电极复用同一引线通
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114843338 A
(43)申请公布日 2022.08.02
(21)申请号 202210554859.1
(22)申请日 2022.05.19
(71)申请人 北京集创北方科技股份有限公司
地址
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