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一种高沟道迁移率的碳化硅MOSFET及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-18 发布于四川
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一种高沟道迁移率的碳化硅MOSFET及其制备方法.pdf

    本发明提出了一种高沟道电子迁移率的碳化硅MOSFET及其制备方法，所述碳化硅MOSFET的沟道区域是通过二次外延或离子注入形成的n‑type区域，所述沟道区域至少包括电流通道、第一耗尽区以及第二耗尽区，所述第一耗尽区和所述第二耗尽区位于所述电流通道的两侧，所述n‑type区域覆盖所述第一耗尽区以及所述第二耗尽区，以使所述沟道在纵向上形成一个电流通道。本发明的SiCMOSFET沟道迁移率可以得到大幅度提升，通过理论计算表明，本发明可以使得其沟道电子迁移率提升至100‑200cm2/Vs范围，比目

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114843347 A (43)申请公布日 2022.08.02 (21)申请号 202210776564.9 (22)申请日 2022.07.04 (71)申请人 香港中文大学（深圳） 地址 518

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