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本发明涉及一种晶圆级COC老化方法，属于芯片技术领域，能够在晶圆级进行操作，COC器件批量老化和测试，过程简单高效，省去夹具成本；该方法包括：S1、采用晶圆工艺在硅晶圆上制备若干组金属电极；每组金属电极对应一个待测芯片；S2、将若干待测芯片键合到硅晶圆表面相应位置上且正负极与对应金属电极电性连接；S3、对待测芯片施加电源使其工作并进行性能测试，得到老化前的性能数据；S4、将硅晶圆置于老化环境中进行老化，并在待测芯片工作状态进行性能测试，得到老化后的性能数据；S5、对比老化前后的性能数据判断出不合
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114843202 A
(43)申请公布日 2022.08.02
(21)申请号 202210499672.6
(22)申请日 2022.05.09
(71)申请人 苏州海光芯创光电科技股份有限公
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