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本发明涉及一种INP片减薄抛光工艺方法，包括以下步骤：（1）将带光刻胶的晶圆上蜡粘片，在减薄设备上减薄至120~125um；（2）将晶圆从减薄设备上取下，放到抛光设备上，让晶圆与抛光盘上的抛光垫接触；（3）抛光10~20min，将晶圆抛光至80‑100um；抛光过程中控制抛光液持续出液，抛光温度23~27℃，抛光压力180~300g/cm2；（4）对晶圆进行清洗、吹干后，融蜡下片；（5）进行N面一次金属镀膜；（6）退火，然后划裂解条。该方法有利于提高产品性能，得到高质量芯片。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114864383 A
(43)申请公布日 2022.08.05
(21)申请号 202210504658.0
(22)申请日 2022.05.10
(71)申请人 福建中科光芯光电科技有限公司
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