一种半导体结构的制造方法.pdfVIP

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2023-05-18 发布于北京
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一种半导体结构的制造方法.pdf

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本发明公开一种半导体结构的制造方法，涉及半导体器件技术领域。以解决由于接触孔的直径越来越小，小尺寸的接触孔中存在的细微烟气或者化合物很难使用化学清洗法进行去除的技术问题。包括：提供一半导体基底，半导体基底包括电极层，以及形成在电极层上的接触孔结构，其中，接触孔结构中的接触孔的纵横比大于第一预设条件，接触孔结构中的接触孔的直径小于第二预设条件；利用感应耦合等离子体对接触孔进行处理，以去除接触孔内的绝缘杂质。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114864482 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202110168137.8 (22)申请日 2021.02.04 (71)申请人中国科学院微电子研究所地址 10