半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-05-18 发布于四川
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本发明的半导体装置包括:半导体芯片,其具有半导体层、第一电极及第二电极,该半导体层具有管芯接合侧的第一面、与所述第一面相反一侧的第二面以及在与所述第一面和所述第二面交叉的方向上延伸的端面,该第一电极形成于所述第一面,在相比于所述端面向内侧偏离的位置具有周缘,该第二电极形成于所述第二面;管芯接合有所述半导体芯片的导电性基板;导电性分隔壁,其在所述导电性基板上支承所述半导体芯片,具有比所述第一电极小的平面面积;以及树脂封装,其至少将所述半导体芯片和所述导电性分隔壁密封。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823859 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210574376.8 (51)Int.Cl.

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