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2023-05-18 发布于北京
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本发明公开了一种IGBT器件，IGBT器件的原胞中集成有电压过冲抑制电路原胞；电压过冲抑制电路原胞包括：第一多晶硅层；第一多晶硅层的第一端和栅极导电材料层直接接触相连，第二端通过金属连线和漂移区电连接。在沿第一端至第二端的方向上，在第一多晶硅层上形成有多条交替排列第一导电类型注入区和第二导电类型注入区，各第一和第二导电类型注入区组成齐纳二极管，各齐纳二极管背靠背串联形成齐纳二极管串联结构。齐纳二极管串联结构形成反馈电容。第一多晶硅层的第二端到集电区之间的漂移区形成第一漂移区电阻。本发明能实现芯片

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114864574 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202210308068.0 (22)申请日 2022.03.26 (71)申请人上海擎茂微电子科技有限公司地址