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本发明涉及一种CVD反应器和一种用于控制/调节布置在CVD反应器内的基板的表面温度的方法,所述基板布置在基板保持件(3)上,所述基板保持件例如被动态的气垫支撑,其中,依次分别测量配属于基板保持件(3)的表面温度的实际值(Tn),并且通过改变气垫(7)的高度将表面温度调节到一个共同值。按照本发明规定,在每次测量配属于基板保持件(3)的测得的表面温度的实际值(Tn)之后,在使用最后测得的一个或多个基板保持件(3)的表面温度的实际值(Tn)的情况下确定一个值(MT),通过计算求在测量过程中测得的实际值
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114867889 A
(43)申请公布日 2022.08.05
(21)申请号 202180007643.7 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所
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