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本发明涉及一种背照式传感器深沟槽隔离制造工艺及结构，包括步骤如下：对减薄后的所述第二晶圆涂覆第一胶层，并显影出第一离子注入区；离子注入第一离子注入区；去除所述第一胶层；对第二晶圆涂覆第二胶层，并显影出第二离子注入区；离子注入第二离子注入区；去除所述第二胶层，采用湿法刻蚀工艺同时形成第一深沟槽和第二深沟槽。本发明通过采用离子注入的方式使第一离子注入区、第二离子注入区内部为P+硅，而第二晶圆为P‑硅，使第一离子注入区、第二离子注入区与第二晶圆不同，便于湿法刻蚀去除P+硅，进而省去现有技术中的两步干法
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114899199 A
(43)申请公布日 2022.08.12
(21)申请号 202210302683.0
(22)申请日 2022.03.24
(71)申请人 上海芯物科技有限公司
地址 201
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