一种自支撑的MEMS红外光源及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于四川
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一种自支撑的MEMS红外光源及其制备方法.pdf

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本发明涉及半导体光电元器件技术领域，具体公开了一种自支撑的MEMS红外光源及其制备方法，MEMS红外光源包括由下到上依次设置的硅衬底、介质薄膜、加热电阻和黑体辐射层，所述加热电阻通过金属剥离工艺形成图形结构，所述黑体辐射层位于加热电阻的中间区域，所述硅衬底背面通过刻蚀形成贯穿硅衬底的背洞区域，位于黑体辐射层下方的介质薄膜被刻蚀掉。本发明所公开的MEMS红外光源及其制备方法由加热电阻自支撑，其在MEMS红外光源工作时，因为减少了加热电阻下面的介质薄膜，可以减少黑体辐射层与硅衬底之间的热传导，从而提

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114890373 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202210505995.1 (22)申请日 2022.05.11 (71)申请人山东大学地址 250013 山东