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本发明公开了一种带有两个周期的高速ROM电路，包括中央处理器、存储控制模块、ROM存储器、第一加密模块、RAM存储器、第二加密模块、EEPROM存储器和第三加密模块，所述中央处理器和存储控制模块连接，所述ROM存储器和第一加密模块连接，所述RAM存储器和第二加密模块连接，所述EEPROM存储器和第三加密模块连接；所述ROM存储器、第一加密模块、RAM存储器、第二加密模块、EEPROM存储器和第三加密模块均与中央处理器连接；所述ROM存储器包含两个周期，分别为activemode和lowpow
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114895772 A
(43)申请公布日 2022.08.12
(21)申请号 202210373334.8
(22)申请日 2022.04.11
(71)申请人 苏州菲斯力芯软件有限公司
地址 2
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