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本发明涉及一种高铝组分的AlGaAs层湿法氧化的方法，属于半导体光电子技术领域。许多光电器件的制备中都涉及对高铝组分的AlGaAs层的湿法氧化，如垂直腔面发射激光器。由于湿法氧化工艺变量多、对台面侧壁完整性要求较高等原因，常导致氧化形状不规则。本发明通过在常规湿法氧化工艺中增加湿法钝化工艺的方式，改善台面侧壁完整性，从而解决由于台面侧壁完整性差导致的氧化形状不规则的问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114883914 A
(43)申请公布日 2022.08.09
(21)申请号 202210689649.3
(22)申请日 2022.06.17
(71)申请人 北京工业大学
地址 100124
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