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本发明提供一种混合极性的GaN器件及其制备方法,通过设置横向交替的混合极性GaN缓冲层以及混合极性AlGaN/GaN双异质结,通过分别于N极性GaN沟道层上设置源区和漏区,于AlGaN势垒层上设置栅极,可以实现源区和漏区与栅极的不同2DEG浓度;此外,GaN沟道层下引入AlGaN背势垒层,可以缩短金属栅极到沟道的距离,由此抑制短沟道效应,因此可以用于制备小尺寸器件。本发明提供的制备方法通过一步外延工艺,实现横向不同极性的GaN缓冲层,源区、漏区具有更高浓度2DEG以便形成更小欧姆接触电阻,而无需
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114883404 A
(43)申请公布日 2022.08.09
(21)申请号 202210441944.7
(22)申请日 2022.04.25
(71)申请人 浙江集迈科微电子有
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