用于沉积二维的层的CVD反应器的应用.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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用于沉积二维的层的CVD反应器的应用.pdf

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本发明涉及一种用于在CVD反应器(1)中的基材上沉积二维的层的方法，在所述方法中，借助输入管路(10)将工艺气体馈送到进气机构(2)中，所述进气机构具有通入处理室(3)中的排气开口(14、14)，在所述方法中，工艺气体或者所述工艺气体的分解产物在所述处理室(3)中被带至所述基材(4)的表面，并且在所述方法中，借助加热装置使所述基材(4)达到过程温度(TP)，从而在所述工艺气体进行化学反应后在所述表面上形成二维的层。按照本发明，在将所述基材(4)加热到过程温度(TP)期间或者在将所述基材(4)加热

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114901865 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202080090944.6 (74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所