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本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于在采用偶极子阈值调控技术实现对半导体器件中不同环栅晶体管的阈值电压调控的情况下，提高环栅晶体管的导电性能。所述半导体器件的制造方法包括：提供一基底。基底具有至少两类区域。每类区域上均形成有相应环栅晶体管包括的沟道。采用沉积工艺和选择性刻蚀工艺，在位于至少部分类区域上的沟道的外周形成相应厚度和相应材质的偶极子层，以使得不同类区域对应不同的阈值调控参数。在位于每类区域上的偶极子层或沟道上均依次形成相应环栅晶体管包括的栅介质层和栅极。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114883270 A
(43)申请公布日 2022.08.09
(21)申请号 202210344146.2
(22)申请日 2022.03.31
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
地址 10
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