纳米片功率器件的结构、制造方法及电力电子设备.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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纳米片功率器件的结构、制造方法及电力电子设备.pdf

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一种纳米片功率器件的结构、制造方法及电力电子设备，属于半导体技术领域，通过包括纳米片堆叠部以及栅极结构；纳米片堆叠部在水平面呈H型，包括平行交替设置的多个牺牲层和多个纳米片层；其中，在纳米片层中，第一半导体类型区、第二半导体类型区、第三半导体类型区以及第四半导体类型区沿横向方向依次排列，且第二半导体类型区位于H型的横线位置的中间；纳米片层还包括位于第三半导体类型区的凹角位置的第五半导体类型区；在垂直方向上与第二半导体类型区重叠的牺牲层的区域镂空，且在镂空区域环绕第二半导体类型区设置栅极结构；第五

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114899215 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202210339952.0 (22)申请日 2022.04.01 (71)申请人天狼芯半导体（成都