堆叠状的III-V族半导体二极管.pdfVIP

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2023-05-19 发布于四川
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堆叠状的III-V族半导体二极管.pdf

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包括GaAs或者由GaAs组成的堆叠状的III‑V族半导体二极管具有高n型掺杂的阴极层、高p型掺杂的阳极层和布置在所述阴极层和所述阳极层之间的漂移区，其中，所述漂移区具有低n型掺杂的漂移层和低p型掺杂的漂移层，所述n型掺杂的漂移层布置在所述p型掺杂的漂移层和所述阴极层之间，两个漂移层分别具有至少5μm的层厚度并且沿着相应的层厚度具有最高8·1015cm‑3的掺杂剂浓度最大值，所述两个漂移层的掺杂剂浓度最大值彼此之间具有0.1至10的比值，并且，所述n型掺杂的漂移层的层厚度与所述p型掺杂的漂移层的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114914290 A (43)申请公布日 2022.08.16 (21)申请号 202210116254.4 (22)申请日 2022.02.07 (30)优先权数据