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本公开涉及一种基于晶圆级封装的薄膜型传感器及其制造方法，该传感器包括基体、传感器主体、盖帽层和多个电极。基体包括：第一衬底、介质层、第一绝缘层和多个硅通孔。介质层和第一绝缘层分别覆盖在第一衬底的两个面，且都被各硅通孔贯穿。各电极设置于对应的各硅通孔的通孔区域。传感器主体包括测试电极和敏感材料层，测试电极位于介质层上方，敏感材料层覆盖在测试电极的目标区域上。盖帽层包括第二衬底和键合环，第二衬底的第一面设置有容置槽。键合环设置于第二衬底的第一面。本公开提供的基于晶圆级封装的薄膜型传感器及其制造方法，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114877917 A
(43)申请公布日 2022.08.09
(21)申请号 202210475588.0
(22)申请日 2022.04.29
(71)申请人 清华大学
地址 100084 北京
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